Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE
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摘要: 研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术，研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性，利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量，并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度，对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。
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百度学术
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