高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展

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高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展

邵秀梅, 龚海梅, 李雪, 方家熊, 唐恒敬, 李淘, 黄松垒, 黄张成

文章导航 > 红外技术 > 2016 > 38(8): 629-635

邵秀梅, 龚海梅, 李雪, 方家熊, 唐恒敬, 李淘, 黄松垒, 黄张成. 高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展[J]. 红外技术, 2016, 38(8): 629-635.

引用本文:

邵秀梅, 龚海梅, 李雪, 方家熊, 唐恒敬, 李淘, 黄松垒, 黄张成. 高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展[J]. 红外技术, 2016, 38(8): 629-635.

SHAO Xiumei, GONG Haimei, LI Xue, FANG Jiaxiong, TANG Hengjing, LI Tao, HUANG Songlei, HUANG Zhangchen. Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(8): 629-635.

Citation:

SHAO Xiumei, GONG Haimei, LI Xue, FANG Jiaxiong, TANG Hengjing, LI Tao, HUANG Songlei, HUANG Zhangchen. Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(8): 629-635.

邵秀梅, 龚海梅, 李雪, 方家熊, 唐恒敬, 李淘, 黄松垒, 黄张成. 高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展[J]. 红外技术, 2016, 38(8): 629-635.

引用本文:

邵秀梅, 龚海梅, 李雪, 方家熊, 唐恒敬, 李淘, 黄松垒, 黄张成. 高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展[J]. 红外技术, 2016, 38(8): 629-635.

SHAO Xiumei, GONG Haimei, LI Xue, FANG Jiaxiong, TANG Hengjing, LI Tao, HUANG Songlei, HUANG Zhangchen. Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(8): 629-635.

Citation:

SHAO Xiumei, GONG Haimei, LI Xue, FANG Jiaxiong, TANG Hengjing, LI Tao, HUANG Songlei, HUANG Zhangchen. Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(8): 629-635.

高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083; 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(2012CB619200)%国家自然科学基金(61376052，61475179)。

中图分类号: TN215
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出版历程

Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors

摘要: 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器的研究。0.9～1.7?m近红外 InGaAs 焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格，以及320×256、640×512、4000×128等面阵，室温暗电流密度＜5 nA/cm2，室温峰值探测率优于5×1012 cm?Hz1/2/W。同时，开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究，光谱范围0.5～1.7?m，在0.8?m 的量子效率约20%，在1.0?m 的量子效率约45%。针对高光谱应用需求，上海技物所开展了1.0～2.5?m 短波红外 InGaAs 探测器研究，暗电流密度小于10 nA/cm2@200 K，形成了512×256、1024×128等多规格探测器，峰值量子效率高于75%，峰值探测率优于5×1011 cm?Hz1/2/W。
- InGaAs /
- 焦平面 /
- 短波红外 /
- 暗电流 /
- 探测率

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2021-06-16