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HgCdTe材料器件中的热处理技术

宋林伟, 吴军, 李沛, 张阳, 毛旭峰, 李东升

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宋林伟, 吴军, 李沛, 张阳, 毛旭峰, 李东升. HgCdTe材料器件中的热处理技术[J]. 红外技术, 2016, 38(3): 239-245.
引用本文: 宋林伟, 吴军, 李沛, 张阳, 毛旭峰, 李东升. HgCdTe材料器件中的热处理技术[J]. 红外技术, 2016, 38(3): 239-245.
shu
SONG Linwei, WU Jun, LI Pei, ZHANG Yang, MAO Xufeng, LI Dongsheng. The Annealing Technology of HgCdTe Materials[J]. Infrared Technology , 2016, 38(3): 239-245.
Citation: SONG Linwei, WU Jun, LI Pei, ZHANG Yang, MAO Xufeng, LI Dongsheng. The Annealing Technology of HgCdTe Materials[J]. Infrared Technology , 2016, 38(3): 239-245.
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HgCdTe材料器件中的热处理技术

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

The Annealing Technology of HgCdTe Materials

摘要

    摘要
  • 摘要: 热处理技术在整个HgCdTe材料器件工艺中有着重要地位.在一定的热力学条件下对HgCdTe材料进行热处理,可通过原子的热运动,调整材料电学性能和掺杂原子的占位形态、降低材料缺陷密度,以达到改善HgCdTe材料器件性能的目的.从热处理与电学性能、热处理与缺陷密度、掺杂材料中的热处理技术以及器件工艺中的热处理技术等几方面进行了总结论述.
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    1. 王鑫，赵东生. 富汞热处理对碲镉汞电学性能的影响. 红外. 2021(01): 6-10 . 百度学术

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    LI Dongsheng

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