高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

段瑜, 张筱丹, 孙浩, 朱亚安, 王光华, 宋立媛, 于晓辉, 万锐敏, 季华夏, 李亚文

段瑜, 张筱丹, 孙浩, 朱亚安, 王光华, 宋立媛, 于晓辉, 万锐敏, 季华夏, 李亚文. 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备[J]. 红外技术, 2015, (12): 1022-1026.
引用本文: 段瑜, 张筱丹, 孙浩, 朱亚安, 王光华, 宋立媛, 于晓辉, 万锐敏, 季华夏, 李亚文. 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备[J]. 红外技术, 2015, (12): 1022-1026.
DUAN Yu, ZHANG Xiao-dan, SUN Hao, ZHU Ya-an, WANG Guang-hua, SONG Li-yuan, YU Xiao-hui, WAN Rui-min, JI Hua-xia, LI Ya-wen. Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display[J]. Infrared Technology , 2015, (12): 1022-1026.
Citation: DUAN Yu, ZHANG Xiao-dan, SUN Hao, ZHU Ya-an, WANG Guang-hua, SONG Li-yuan, YU Xiao-hui, WAN Rui-min, JI Hua-xia, LI Ya-wen. Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display[J]. Infrared Technology , 2015, (12): 1022-1026.

高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

基金项目: 云南省应用基础研究重点项目,编号2012FA004;昆明市产业创新发展重点项目,编号2014-01-A-G-02-2006。
详细信息
  • 中图分类号: O482.3

Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display

  • 摘要: 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
  • 期刊类型引用(7)

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    2024年6月6日