高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备
Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display
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摘要: 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构，配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路，获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件，最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V，亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V，最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时，色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
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