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短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真

刘峰, 石峰, 焦岗成, 师宏立, 苗壮, 任彬

刘峰, 石峰, 焦岗成, 师宏立, 苗壮, 任彬. 短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真[J]. 红外技术, 2015, (9): 778-782.
引用本文: 刘峰, 石峰, 焦岗成, 师宏立, 苗壮, 任彬. 短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真[J]. 红外技术, 2015, (9): 778-782.
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LIU Feng, SHI Feng, JIAO Gang-cheng, SHI Hong-li, MIAO Zhuang, REN Bin. Design and Simulation of p-InGaAs/p-InP Heterojunction within Short-wave Infrared Threshold Field-assisted Photocathode[J]. Infrared Technology , 2015, (9): 778-782.
Citation: LIU Feng, SHI Feng, JIAO Gang-cheng, SHI Hong-li, MIAO Zhuang, REN Bin. Design and Simulation of p-InGaAs/p-InP Heterojunction within Short-wave Infrared Threshold Field-assisted Photocathode[J]. Infrared Technology , 2015, (9): 778-782.
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短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真

基金项目: 微光夜视技术重点实验室基金。
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Design and Simulation of p-InGaAs/p-InP Heterojunction within Short-wave Infrared Threshold Field-assisted Photocathode

摘要

    摘要
  • 摘要: 针对一种短波红外阈透射式光阴极，简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后，结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模，详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示：Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-InGaAs/p-InP异质结的势垒影响。此时，为达到较小的漏电流， In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2?m，InP发射层厚度1?m，掺杂浓度均为1×1016 cm－3。
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