微测辐射热计单元红外吸收分析

雷述宇, 李军利

雷述宇, 李军利. 微测辐射热计单元红外吸收分析[J]. 红外技术, 2015, (8): 672-675.
引用本文: 雷述宇, 李军利. 微测辐射热计单元红外吸收分析[J]. 红外技术, 2015, (8): 672-675.
LEI Shu-yu, LI Jun-li. Analysis of Infrared Absorption for 25?m Pitch Pixel of Micro-bolometer[J]. Infrared Technology , 2015, (8): 672-675.
Citation: LEI Shu-yu, LI Jun-li. Analysis of Infrared Absorption for 25?m Pitch Pixel of Micro-bolometer[J]. Infrared Technology , 2015, (8): 672-675.

微测辐射热计单元红外吸收分析

详细信息
  • 中图分类号: TN215

Analysis of Infrared Absorption for 25?m Pitch Pixel of Micro-bolometer

  • 摘要: 介绍了一种计算多层结构微测辐射热计探测单元的红外吸收模型,并计算了所设计25?m微测辐射热计探测单元的红外吸收。当探测单元表面金属吸收层的方阻从2~600?/变化时,单元的吸收功率先逐渐增大,之后缓慢下降。对于300 K黑体辐射,当探测单元的吸收层方阻达到332?/时,吸收率达到最大。此时在8~14?m波段单元的红外吸收率平均值为72%,吸收功率为16 nW。在此基础上对探测单元结构的悬空高度进行优化,得到最优的两层悬空间隙高度均为0.8?m,最优吸收率为82%。
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    2024年6月6日