分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

基金项目: 核高基项目。

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Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE

摘要: 报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果，进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究；分析了As束流对材料晶体质量的影响，结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系；并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征，结果显示利用 MBE 方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜；进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。
- 分子束外延 /
- 碲镉汞 /
- 原位As掺杂 /
- 退火

1.	覃钢，李东升，李雄军，李艳辉，王向前，杨彦，铁筱莹，左大凡，薄俊祥. 分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究. 红外技术. 2016(10): 820-824 . 本站查看
2.	覃钢，李东升. 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术. 红外技术. 2015(10): 858-863 . 本站查看