分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

覃钢, 李东升, 李艳辉, 杨春章, 周旭昌, 张阳, 谭英, 左大凡, 齐航

覃钢, 李东升, 李艳辉, 杨春章, 周旭昌, 张阳, 谭英, 左大凡, 齐航. 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究[J]. 红外技术, 2015, (2): 105-109.
引用本文: 覃钢, 李东升, 李艳辉, 杨春章, 周旭昌, 张阳, 谭英, 左大凡, 齐航. 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究[J]. 红外技术, 2015, (2): 105-109.
QIN Gang, LI Dong-sheng, LI Yan-hui, YANG Chun-zhang, ZHOU Xu-chang, ZHANG Yang, TAN Ying, ZUO Da-fan, QI Hang. Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (2): 105-109.
Citation: QIN Gang, LI Dong-sheng, LI Yan-hui, YANG Chun-zhang, ZHOU Xu-chang, ZHANG Yang, TAN Ying, ZUO Da-fan, QI Hang. Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (2): 105-109.

分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

基金项目: 核高基项目。
详细信息
  • 中图分类号: TN304

Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE

  • 摘要: 报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系;并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征,结果显示利用 MBE 方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜;进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。
计量
  • 文章访问数:  137
  • HTML全文浏览量:  21
  • PDF下载量:  17
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

    /

    返回文章
    返回
    x 关闭 永久关闭

    尊敬的专家、作者、读者:

    端午节期间因系统维护,《红外技术》网站(hwjs.nvir.cn)将于2024年6月7日20:00-6月10日关闭。关闭期间,您将暂时无法访问《红外技术》网站和登录投审稿系统,给您带来不便敬请谅解!

    预计6月11日正常恢复《红外技术》网站及投审稿系统的服务。您如有任何问题,可发送邮件至编辑部邮箱(irtek@china.com)与我们联系。

    感谢您对本刊的支持!

    《红外技术》编辑部

    2024年6月6日