AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证
The Simulation and Verification of Spectral Response Characteristics for the Solar-blind AlGaN Ultraviolet Photodiodes
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摘要: 对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟，并将仿真结果与实测数据进行了比较分析，发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数，并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合，得到了AlGaN材料吸收带尾特征参数αg、EUrbach分别为2.2×104 cm-1、0.027 eV，补充和修正了AlGaN材料带内外光吸收模型，经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。
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