摘要: 　　针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380～510 nm转换波长的闪烁体，分别从 K2CsSb 光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明，双碱光电阴极 K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体，能带弯曲最大，功函数最小；中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380～510 nm，可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.92～3.26 eV，反射式工作范围在2.43～2.92 eV；针对球形光电倍增管结构，提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25阴极6点监控制备方法，给出了测试方法。