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基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系

彭曼泽, 李东升, 李秋妍, 田立萍, 吴刚

彭曼泽, 李东升, 李秋妍, 田立萍, 吴刚. 基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系[J]. 红外技术, 2013, (6): 364-367.
引用本文: 彭曼泽, 李东升, 李秋妍, 田立萍, 吴刚. 基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系[J]. 红外技术, 2013, (6): 364-367.
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PENG Man-ze, LI Dong-sheng, LI Qiu-yan, TIAN Li-ping, WU Gang. The Relations between Hall Voltage and Carrier Concentration of Two Kinds of Carrier Conduction System for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2013, (6): 364-367.
Citation: PENG Man-ze, LI Dong-sheng, LI Qiu-yan, TIAN Li-ping, WU Gang. The Relations between Hall Voltage and Carrier Concentration of Two Kinds of Carrier Conduction System for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2013, (6): 364-367.
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基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系

  • 昆明物理研究所,云南 昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

The Relations between Hall Voltage and Carrier Concentration of Two Kinds of Carrier Conduction System for HgCdTe

摘要

    摘要
  • 摘要: 利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度 p/n 之间的公式及曲线。分析了不同 p/n 值时霍尔电压值与材料导电类型的关系，确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。
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    1. 吴海清，李同海，谈大伟. 小型折反式短波红外光学系统设计. 红外. 2024(02): 1-8 . 百度学术

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    2024年6月6日