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芯片位置对红外二极管辐射强度在空间分布的影响

翁建华

翁建华. 芯片位置对红外二极管辐射强度在空间分布的影响[J]. 红外技术, 2012, 34(7): 389-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.07.003
引用本文: 翁建华. 芯片位置对红外二极管辐射强度在空间分布的影响[J]. 红外技术, 2012, 34(7): 389-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.07.003
shu
Effects of Chip Location for Radiant Intensity Profiles of IREDs[J]. Infrared Technology , 2012, 34(7): 389-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.07.003
Citation: Effects of Chip Location for Radiant Intensity Profiles of IREDs[J]. Infrared Technology , 2012, 34(7): 389-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.07.003
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芯片位置对红外二极管辐射强度在空间分布的影响

  • 上海电力学院能源与环境工程学院,上海,200090

  • 上海电力学院

详细信息

  • 中图分类号: TN214

Effects of Chip Location for Radiant Intensity Profiles of IREDs

摘要

    摘要
  • 摘要: 采用射线追踪法,计算了两种红外二极管辐射强度随空间角度的变化关系,并将计算结果与实测数据进行了比较.计算中红外射线由除底面外芯片的其余5个表面上产生的随机数进行发射,并考虑了反射杯对红外光线的反射.数值模拟的结果与实测得到结果基本一致.在此基础上模拟了芯片位置的变化对辐射强度的影响.模拟结果有助于进一步了解红外二极管的光学特性及其结构对光学特性的影响,并为红外二极管及关电开关的设计与制造提供理论参考.
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