非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边

Dark Conductivity and Absorption Edge of Amorphous Hg0.8Cd0.2Te Film

摘要: 研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91 eV之间,与通过光学方法获得的结果相符.在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10-8Ω-1·cm-1缓慢增大到5×10- 8Ω-1-cm-1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10-5Ω-1·cm-1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义.还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化.