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射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究

刘黎明, 莫镜辉, 史衍丽, 曾华荣, 杨培志

刘黎明, 莫镜辉, 史衍丽, 曾华荣, 杨培志. 射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 260-264. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.003
引用本文: 刘黎明, 莫镜辉, 史衍丽, 曾华荣, 杨培志. 射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 260-264. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.003
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LIU Li-ming, MO Jing-hui, SHI Yan-li, ZENG Hua-rong, YANG Pei-zhi. Structure and Property Study on Vanadium Oxide Thin Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 260-264. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.003
Citation: LIU Li-ming, MO Jing-hui, SHI Yan-li, ZENG Hua-rong, YANG Pei-zhi. Structure and Property Study on Vanadium Oxide Thin Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 260-264. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.003
shu

射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究

  • 昆明物理研究所,昆明,650223

  • 中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

  • 云南师范大学可再生能源先进材料与制备教育部重点实验室,昆明,650092

  • 中国科学院昆明物理研究所

  • 中国科学院上海硅酸盐研究所

  • 云南师范大学

基金项目: Photoelectric Fire Control Pre-research Project of China North Industries Group Corporation
详细信息

  • 中图分类号: TN215%O484.1

Structure and Property Study on Vanadium Oxide Thin Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique

摘要

    摘要
  • 摘要: 以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、能量色散谱(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)技术表征了薄膜的结晶状态、微观结构与化学组成.采用四探针技术研究了薄膜的电学性能.结果表明该薄膜主要为非晶态的二氧化钒( VO2),并具有光滑的表面形貌.这种非晶VO2薄膜在22～100℃温度范围内不存在半导体-金属相变.100 nm厚的非晶VO2薄膜室温下的面电阻为600 kΩ/,同时表现出-2.1％/℃的较高电阻温度系数(TCR),这表明该薄膜有希望用于非制冷微测辐射热计型红外探测器.
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