本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究

本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究

宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇

文章导航 > 红外技术 > 2012 > 34(5) : 256-259. > DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇. 本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

引用本文:

宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇. 本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

SONG Li-yuan, TANG Li-bin, JI Rong-bin, LIU Xin-jin, CHEN Xue-mei, XUE Jing-wei, ZHUANG Ji-sheng, WANG Chong, YANG Yu. Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

Citation:

SONG Li-yuan, TANG Li-bin, JI Rong-bin, LIU Xin-jin, CHEN Xue-mei, XUE Jing-wei, ZHUANG Ji-sheng, WANG Chong, YANG Yu. Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究

云南大学工程技术研究院,光电信息材料研究所,昆明650091;昆明物理研究所,云南昆明650223
昆明物理研究所,云南昆明,650223
云南大学工程技术研究院,光电信息材料研究所,昆明650091
云南大学
中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(61106098)%兵器支撑项目资助

详细信息

中图分类号: TN215
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出版历程

Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films

摘要: 采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO∶Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果显示,ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的( 002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小；并且当Al3+掺杂浓度为1.5％(摩尔百分比)时所获得的ZnO∶Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ω·cm.
- ZnO∶Al薄膜 /
- X射线衍射 /
- 紫外-可见光吸收光谱 /
- 霍尔效应

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