本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究

宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇

宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇. 本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002
引用本文: 宋立媛, 唐利斌, 姬荣斌, 刘新近, 陈雪梅, 薛经纬, 庄继胜, 王茺, 杨宇. 本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究[J]. 红外技术, 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002
SONG Li-yuan, TANG Li-bin, JI Rong-bin, LIU Xin-jin, CHEN Xue-mei, XUE Jing-wei, ZHUANG Ji-sheng, WANG Chong, YANG Yu. Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002
Citation: SONG Li-yuan, TANG Li-bin, JI Rong-bin, LIU Xin-jin, CHEN Xue-mei, XUE Jing-wei, ZHUANG Ji-sheng, WANG Chong, YANG Yu. Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films[J]. Infrared Technology , 2012, 34(5): 256-259. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.05.002

本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究

基金项目: 国家自然科学基金(61106098)%兵器支撑项目资助
详细信息
  • 中图分类号: TN215

Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films

  • 摘要: 采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO∶Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果显示,ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的( 002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小;并且当Al3+掺杂浓度为1.5%(摩尔百分比)时所获得的ZnO∶Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ω·cm.
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    2024年6月6日