本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究
Properties of Intrinsic and Aluminum-doped ZnO Thin Films
-
摘要: 采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO∶Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果显示,ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的( 002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小；并且当Al3+掺杂浓度为1.5％(摩尔百分比)时所获得的ZnO∶Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ω·cm.
下载: