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HgCdTe红外探测器性能分析

Performance HgCdTe Infrared Detector at Different Temperatures

    摘要
  • 摘要: 根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3μm、5 μm、10.5 μm的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算.计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求.

     

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