摘要: 以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标.InAs/GaInSb Ⅱ类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器件优势,在大面阵长波红外探测器、高温中波红外探测器、中波双色探测器以及甚长波红外探测器领域显示出优异的器件性能和技术成熟性,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一,在世界各国引起了高度的重视和发展.就InAs/GaInSb Ⅱ类超晶格材料的优越性、存在的问题及近期的发展状况进行了介绍,旨在促进我国InAs/GaInSb Ⅱ类超晶格技术的发展.