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高频, 张益军. 不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 429-432. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.012
引用本文: 高频, 张益军. 不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 429-432. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.012
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GAO Pin, ZHANG Yi-jun. Comparison of Spectral Characteristics on Different Reflection-Mode GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 429-432. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.012
Citation: GAO Pin, ZHANG Yi-jun. Comparison of Spectral Characteristics on Different Reflection-Mode GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 429-432. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.012
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不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较

Comparison of Spectral Characteristics on Different Reflection-Mode GaAs Photocathodes

    摘要
  • 摘要: 利用分子束外延生长了三种结构的反射式GaAs光电阴极,其中一种为传统结构的反射式GaAs光电阴极,另外两种为具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂和梯度掺杂反射式GaAs光电阴极.激活后的光谱响应测试结果表明,与传统结构的反射式GaAs光电阴极相比,具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂反射式GaAs光电阴极的长波响应更好,而具有GaAlAs缓冲层的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极相比其它结构的反射式GaAs光电阴极能够获得更好的光电发射性能,光谱响应曲线更平坦,拟合光谱响应曲线结果表明其电子扩散长度和电子表面逸出几率都得到了增加,从而具有更高的积分灵敏度和长波响应.

     

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