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周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002
引用本文: 周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002
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ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002
Citation: ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002
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Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer

    摘要
  • 摘要: 在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si<'+>自注入si晶体的Si<'+>深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si<'+>的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si<'+>进一步深入的主导因素.论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因.

     

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