NEA GaN光电阴极的制备与评估
Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode
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摘要: 对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEAGaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEAGaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%.
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