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GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出

肖云钞, 郭方敏

肖云钞, 郭方敏. GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出[J]. 红外技术, 2011, 33(5): 281-283. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.008
引用本文: 肖云钞, 郭方敏. GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出[J]. 红外技术, 2011, 33(5): 281-283. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.008
shu
XIAO Yun-Chao, GUO Fang-Min. Optical Charge Memory of the GaAs/InGaAs Quantum Dot Well Diode[J]. Infrared Technology , 2011, 33(5): 281-283. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.008
Citation: XIAO Yun-Chao, GUO Fang-Min. Optical Charge Memory of the GaAs/InGaAs Quantum Dot Well Diode[J]. Infrared Technology , 2011, 33(5): 281-283. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.008
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GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出

  • 华东师范大学,信息科学技术学院,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241

  • 华东师范大学

基金项目: 科技部重大项目(2006CB932802;2011CB932903)%上海市科委基金(078014194)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Optical Charge Memory of the GaAs/InGaAs Quantum Dot Well Diode

摘要

    摘要
  • 摘要: 通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点.量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路.在633 nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性.
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