入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究

入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究

高永芳, 时家明, 赵大鹏

文章导航 > 红外技术 > 2011 > 33(4) : 195-197,206. > DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

高永芳, 时家明, 赵大鹏. 入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 195-197,206. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

引用本文:

高永芳, 时家明, 赵大鹏. 入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 195-197,206. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

GAO Yong-fang, SHI Jia-ming, ZHAO Da-peng. Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 195-197,206. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

Citation:

GAO Yong-fang, SHI Jia-ming, ZHAO Da-peng. Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 195-197,206. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究

脉冲功率激光技术国家重点实验室,安徽,合肥,230037
电子工程学院安徽省红外与低温等离子体重点实验室,安徽,合肥,230037
解放军电子工程学院

基金项目: "新世纪优秀人才支持计划"资助项目%安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金资助项目(2007A005005E)

详细信息

中图分类号: O434
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出版历程

Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal

摘要: 利用特征矩阵法,分别研究了不同偏振方式的波入射到光子晶体时,光子晶体的禁带随入射角度的变化.结果表明:不论是TM波入射还是TE波入射,随着入射角度的增大,光子晶体的带隙都向短波方向移动;TM波入射时,光子晶体的带隙随入射角度的增大而减小,而以TE波入射光子晶体时,随着入射角度的增大,光子晶体的带隙逐渐增大.
- 光子晶体 /
- 入射角度 /
- 禁带

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