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InSb焦平面器件表面末处理技术研究

Study on Post-treatment Technology for the Surface of InSb Focal Plane Device

    摘要
  • 摘要: InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能.通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能.

     

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