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GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

郭向阳, 常本康, 乔建良, 王晓晖

郭向阳, 常本康, 乔建良, 王晓晖. GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较[J]. 红外技术, 2010, 32(2): 117-120. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.014
引用本文: 郭向阳, 常本康, 乔建良, 王晓晖. GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较[J]. 红外技术, 2010, 32(2): 117-120. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.014
shu
GUO Xiang-yang, CHANG Ben-kang, QIAO Jian-liang, WANG Xiao-hui. Comparison of Stability of GaN and GaAs Photocathode[J]. Infrared Technology , 2010, 32(2): 117-120. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.014
Citation: GUO Xiang-yang, CHANG Ben-kang, QIAO Jian-liang, WANG Xiao-hui. Comparison of Stability of GaN and GaAs Photocathode[J]. Infrared Technology , 2010, 32(2): 117-120. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.014
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GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094

  • 南京理工大学

基金项目: 国家自然科学基金(60871012)
详细信息

  • 中图分类号: TN219

Comparison of Stability of GaN and GaAs Photocathode

摘要

    摘要
  • 摘要: 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线.结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减.而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减.结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定.GaN光电阴极激活后cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性.
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