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128×128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究

陈韧, 王建华, 孙嗣良, 闫杰

陈韧, 王建华, 孙嗣良, 闫杰. 128×128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究[J]. 红外技术, 2010, 32(2): 68-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.002
引用本文: 陈韧, 王建华, 孙嗣良, 闫杰. 128×128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究[J]. 红外技术, 2010, 32(2): 68-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.002
shu
CHEN Ren, WANG Jian-hua, SUN Si-liang, YAN Jie. Research on Nonuniformity Correction Algorithm for 128×128 MOS Resistor Array[J]. Infrared Technology , 2010, 32(2): 68-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.002
Citation: CHEN Ren, WANG Jian-hua, SUN Si-liang, YAN Jie. Research on Nonuniformity Correction Algorithm for 128×128 MOS Resistor Array[J]. Infrared Technology , 2010, 32(2): 68-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.002
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128×128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究

  • 西北工业大学航天学院飞行控制与仿真技术研究所,陕西,西安,710072

  • 空军工程大学理学院,陕西,西安,710038

  • 西北工业大学

  • 空军工程大学

详细信息

  • 中图分类号: V448.25

Research on Nonuniformity Correction Algorithm for 128×128 MOS Resistor Array

摘要

    摘要
  • 摘要: MOS电阻阵非均匀性校正一直是基于MOS电阻阵的场景产生器研究和发展的关键问题和前沿技术.在对128×128像元MOS电阻阵实验的基础上,分析了其非线性和非均匀性产生的原因,并提出了非均匀性校正算法.首先在MOS电阻阵中覆盖矩阵栅格,建立线性修正表格,然后通过采集校正后数据建立补偿表格,迭代这个修正过程完成校正补偿工作.实验结果表明非均匀性校正算法可行,校正后的红外图像均匀性有较大提高,较好地满足了红外成像制导仿真需求.
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