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宋立媛, 唐利斌, 李艳辉, 孔令德, 陈雪梅. 分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究[J]. 红外技术, 2009, 31(11): 628-630,633. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.11.003
引用本文: 宋立媛, 唐利斌, 李艳辉, 孔令德, 陈雪梅. 分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究[J]. 红外技术, 2009, 31(11): 628-630,633. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.11.003
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SONG Li-Yuan, TANG Li-Bin, LI Yan-Hui, KONG Ling-De, CHEN Xue-Mei. The Study on the Properties of CdTe Buffer Layer for MBE HgCdTe Epilayer[J]. Infrared Technology , 2009, 31(11): 628-630,633. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.11.003
Citation: SONG Li-Yuan, TANG Li-Bin, LI Yan-Hui, KONG Ling-De, CHEN Xue-Mei. The Study on the Properties of CdTe Buffer Layer for MBE HgCdTe Epilayer[J]. Infrared Technology , 2009, 31(11): 628-630,633. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.11.003
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分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究

The Study on the Properties of CdTe Buffer Layer for MBE HgCdTe Epilayer

    摘要
  • 摘要: CdTe是GaAs衬底上分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜时的缓冲层,引入缓冲层的目的是减小失配位错,CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量,然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度.采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度(EPD)、FT-IR和椭圆偏振光谱的方法,从CdTe缓冲层厚度对位错密度的影响入手,分析并确定了理想的CdTe缓冲层厚度.

     

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