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王忆锋, 唐利斌. 碲镉汞pn结制备技术的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(9): 497-503. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.09.001
引用本文: 王忆锋, 唐利斌. 碲镉汞pn结制备技术的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(9): 497-503. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.09.001
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WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of HgCdTe pn Junction Fabrication Technologies[J]. Infrared Technology , 2009, 31(9): 497-503. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.09.001
Citation: WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of HgCdTe pn Junction Fabrication Technologies[J]. Infrared Technology , 2009, 31(9): 497-503. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.09.001
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碲镉汞pn结制备技术的研究进展

Developments of HgCdTe pn Junction Fabrication Technologies

    摘要
  • 摘要: 作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1～25μm)范围内工作的红外探测器.由于材料性质敏感,MCT器件的制备一直是一项具有挑战性的工作.有若干种pn结制备方法可用于制备MCT光伏器件.离子注入是最常用的一种,但该方法需要额外的退火处理.一些替代技术,例如离子束研磨或反应离子刻蚀等,近来年引起较多关注.MCT体晶和外延层的导电类型转换是材料生产和器件制备中最重要的工艺之一.通过对近年来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了MCTpn结制备技术的研究进展.

     

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