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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

龚晓霞, 苏玉辉, 雷胜琼, 万锐敏, 杨文运

龚晓霞, 苏玉辉, 雷胜琼, 万锐敏, 杨文运. 锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计[J]. 红外技术, 2009, 31(4): 232-235. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
引用本文: 龚晓霞, 苏玉辉, 雷胜琼, 万锐敏, 杨文运. 锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计[J]. 红外技术, 2009, 31(4): 232-235. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
shu
GONG Xiao-xia, SU Yu-hui, LEI Sheng-qiong, WAN Rui-min, YANG Wen-yun. Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(4): 232-235. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
Citation: GONG Xiao-xia, SU Yu-hui, LEI Sheng-qiong, WAN Rui-min, YANG Wen-yun. Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(4): 232-235. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN213

Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices

摘要

    摘要
  • 摘要: 通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深.利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件.实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103 Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间.实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合.此工作对离子注入工艺有一定的参考价值.
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