MOS电阻阵列非均匀性校正技术研究

朱岩, 王仕成, 苏德伦, 张金生, 廖守亿

朱岩, 王仕成, 苏德伦, 张金生, 廖守亿. MOS电阻阵列非均匀性校正技术研究[J]. 红外技术, 2009, 31(3): 148-151,155. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.03.006
引用本文: 朱岩, 王仕成, 苏德伦, 张金生, 廖守亿. MOS电阻阵列非均匀性校正技术研究[J]. 红外技术, 2009, 31(3): 148-151,155. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.03.006
ZHU Yan, WANG Shi-cheng, SU De-lun, ZHANG Jin-sheng, IAAO Shou-yi. Researches on Nonuniformity Correction Technolnologies for Resistor Array[J]. Infrared Technology , 2009, 31(3): 148-151,155. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.03.006
Citation: ZHU Yan, WANG Shi-cheng, SU De-lun, ZHANG Jin-sheng, IAAO Shou-yi. Researches on Nonuniformity Correction Technolnologies for Resistor Array[J]. Infrared Technology , 2009, 31(3): 148-151,155. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.03.006

MOS电阻阵列非均匀性校正技术研究

基金项目: 国家自然科学基金(60572061)
详细信息
  • 中图分类号: TN216

Researches on Nonuniformity Correction Technolnologies for Resistor Array

  • 摘要: 电阻阵列是动态红外景像产生器的主要发展方向,作为红外景像生成系统中的关键器件,其成像质量的好坏直接影响到整个红外景像生成系统的性能.多种原因导致电阻阵列具有一定的非均匀性,因此在使用之前必须对其进行非均匀性校正.对电阻阵列非均匀校正技术进行了研究,发现国外常用的数据测量方法对红外测量设备的性能以及实验环境的要求很高,而目前国内红外测量设备的性能很难满足要求.因此,结合国内实际情况和现有实验条件,对国外常用的数据测量方法做了改进,提出了更适合在现有实验条件下应用的数据测量方法,并介绍了一种简便的数据处理方法.仿真结果表明,采用改进后的数据测量方法可以获得比较令人满意的非均匀性校正效果.
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    2024年6月6日