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曲海成, 李艳辉, 苏栓, 杨春章, 谭英, 高丽华, 王善力. RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺[J]. 红外技术, 2008, 30(12): 688-692. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
引用本文: 曲海成, 李艳辉, 苏栓, 杨春章, 谭英, 高丽华, 王善力. RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺[J]. 红外技术, 2008, 30(12): 688-692. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
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QU Hai-Cheng, LI Yang-Hui, SU Shuan, YANG Chun-Zhang, TAN Ying, GAO Li-Hua, WANG Shan-Li. Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process[J]. Infrared Technology , 2008, 30(12): 688-692. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
Citation: QU Hai-Cheng, LI Yang-Hui, SU Shuan, YANG Chun-Zhang, TAN Ying, GAO Li-Hua, WANG Shan-Li. Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process[J]. Infrared Technology , 2008, 30(12): 688-692. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
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RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process

    摘要
  • 摘要: 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究.通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求.

     

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