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NEA GaN光电阴极光电发射机理研究

乔建良, 黄大勇, 牛军, 常本康

乔建良, 黄大勇, 牛军, 常本康. NEA GaN光电阴极光电发射机理研究[J]. 红外技术, 2008, 30(10): 611-614. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.10.014
引用本文: 乔建良, 黄大勇, 牛军, 常本康. NEA GaN光电阴极光电发射机理研究[J]. 红外技术, 2008, 30(10): 611-614. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.10.014
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QIAO Jian-liang, HUANG Da-yong, NIU Jun, CHANG Ben-kang. Study of Photoemission Mechanism for NEA GaN Photocathode[J]. Infrared Technology , 2008, 30(10): 611-614. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.10.014
Citation: QIAO Jian-liang, HUANG Da-yong, NIU Jun, CHANG Ben-kang. Study of Photoemission Mechanism for NEA GaN Photocathode[J]. Infrared Technology , 2008, 30(10): 611-614. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.10.014
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NEA GaN光电阴极光电发射机理研究

  • 南阳理工学院电子与电气工程系,河南,南阳,473004;南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094

  • 南阳理工学院电子与电气工程系,河南,南阳,473004

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094

  • 南阳理工学院

  • 南京理工大学

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20050288010)
详细信息

  • 中图分类号: TN219

Study of Photoemission Mechanism for NEA GaN Photocathode

摘要

    摘要
  • 摘要: 围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理.实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.根据Spicer光电发射理论,给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式,激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:Cs-O解释.
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