摘要: 红外MOS电阻阵列是红外景像生成器中的关键元件,由于微加工工艺过程中存在的不定性导致电阻阵中每个像元的V-T曲线之间存在微小的差异,这种像元之间的差异表现为"固定图像"噪声(也就是非均匀性).非均匀性极大地影响了红外景象生成器的图像生成质量,为了真实的展现出实物的红外图像,在实时景像生成之前,必须对电阻阵进行非均匀性校正,其中对从电阻阵上像元能量的采集分析是最为关键的一个环节.对在测量MOS电阻阵时可能出现的干扰因素进行了深入的探讨与研究,并提出对应的像元能量分析方法.试验表明,该方法较好的解决了数据采集中的干扰因素,在实际运用中取得了令人满意的效果.