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基于GaN材料p型掺杂的研究进展

Research Progress Based on GaN Material p-type doped

    摘要
  • 摘要: GaN材料作为第三代半导体材料已成为短波长光电子器件及高频,高压、高温微电子器件制备的最优选材料,而难以获得高质量的P型GaN成为阻碍GaN器件进一步发展和应用的重要原因.介绍了P型掺杂存在的问题,讨论了P型掺杂的激活方法和机理,综述了目前P型掺杂国内外的研究进展情况,最后指出了今后的研究方向.

     

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