高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟

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赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟. 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制[J]. 红外技术, 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

引用本文:

赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟. 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制[J]. 红外技术, 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

ZHAO Hong-yan, SI Jun-jie, DING Jia-xin, CHENG Cai-jing, ZHANG Liang, ZHANG Xiang-feng, CHEN Hui-juan. The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

Citation:

ZHAO Hong-yan, SI Jun-jie, DING Jia-xin, CHENG Cai-jing, ZHANG Liang, ZHANG Xiang-feng, CHEN Hui-juan. The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009
中国空空导弹研究院

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中图分类号: TN213
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出版历程

The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction

摘要: 制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.
- AlGaN 肖特基二极管 /
- 理想因子 /
- 势垒高度

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