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激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构

Characterizing the HgCdTe Photovoltaic Devices by Laser Beam Induced Current Technique

    摘要
  • 摘要: 硼离子注入p型HgCdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义.通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注入形成的n型区域的面积明显大于离子实际注入的区域面积.

     

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