碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究
The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent
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摘要: 通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性(x为±0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求.
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