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长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触

Ohmic Contacts on Long Wave Photovoltaic HgCdTe

    摘要
  • 摘要: 碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4Ω cm2、8.95×10-4Ω·cm2.

     

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