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高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长

Growth of HgCdTe Films by LPE

    摘要
  • 摘要: 用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x＝0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜.测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求.

     

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