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恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

Calculation of Photocarrier Concentration of a 1-D Loophole HgCdTe PN Junction under Steady-State Incidence

    摘要
  • 摘要: 通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论.

     

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