共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟

共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟

李军, 宋航, 金亿鑫, 蒋红, 缪国庆, 赵海峰

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李军, 宋航, 金亿鑫, 蒋红, 缪国庆, 赵海峰. 共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟[J]. 红外技术, 2004, 26(4): 69-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.04.016

引用本文:

李军, 宋航, 金亿鑫, 蒋红, 缪国庆, 赵海峰. 共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟[J]. 红外技术, 2004, 26(4): 69-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.04.016

Design of GaInAsSb RCE Infrared Photodetector[J]. Infrared Technology , 2004, 26(4): 69-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.04.016

Citation:

Design of GaInAsSb RCE Infrared Photodetector[J]. Infrared Technology , 2004, 26(4): 69-72. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.04.016

共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(60177014,50072030,50132020)

详细信息

中图分类号: TN215
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出版历程

Design of GaInAsSb RCE Infrared Photodetector

摘要: 设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构.在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSb QWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/Si QWS组成.器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层.计算表明,在设计的工作波长2.4μm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率.在2～2.9 μm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作.
- 共振腔增强探测器 /
- GaInAsSb /
- DBR /
- 反射率 /
- 量子效率

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