共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟
Design of GaInAsSb RCE Infrared Photodetector
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摘要: 设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构.在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSb QWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/Si QWS组成.器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层.计算表明,在设计的工作波长2.4μm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率.在2～2.9 μm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作.
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