红外低发射率ATO粉末的制备及其特性研究
Preparation and Characterization study of Antimony Doped Tin Oxide with Low Infrared Emissivity
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摘要: ATO是一种优良的半导体材料,具有较低的红外发射率,可制成红外迷彩涂层,应用到军事领域.采用化学共沉淀法制备了低发射率的ATO粉末,并和特定的粘结剂制得了ATO涂层,测得了涂层的发射率和粉末的电阻,考察了影响涂层发射率和粉末电阻的因素,并对高温烧结的ATO粉末的粒径、形貌等进行了表征.
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