碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌

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黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌. 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 42-44,48. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

引用本文:

黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌. 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 42-44,48. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 42-44,48. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

Citation:

Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 42-44,48. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

昆明物理研究所,云南,昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

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中图分类号: O472.3%TN213
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出版历程

Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method

摘要: 详细说明了用微波反射光电导衰减(μ-PCD)测量碲镉汞材料(MCT)中少数载流子寿命的原理.μ-PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为20 ns至3 ms,测量温度可以从80 K到325 K变化,整个系统的测量由计算机控制自动进行,可以对样品进行X-Y平面扫描测量并进行结果数据分析.同时,还报道了用μ-PCD技术测量液相外延MCT薄膜材料少数载流子寿命的结果.
- 碲镉汞 /
- 微波 /
- 光电导衰减 /
- 少子寿命

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