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红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体
马格林
,
曹全喜
,
黄云霞
Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide
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从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性,指出ZAO(掺铝氧化锌)作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的.
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