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16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制

Prepartion of 16×16 Pyroelectric Array with PCLT/P(VDF-TrFE) Sensing Film

    摘要
  • 摘要: 用三维集成CMOS 工艺研制了16×16 有机/无机复合敏感膜红外热释电面阵.用掺钙和镧的钛酸铅(PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)均匀复合,作面阵的敏感膜.用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换,用双16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址.用6 μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离.用40 nm厚的Ni-Cr膜作面阵的上电极及吸收层.测得该面阵单元在600 Hz下探测率峰值为2.6×107cmHz1/2/W.

     

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