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HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

The Manufacture of HgCdTe MIS Device and Its C-V Character

    摘要
  • 摘要: 通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在1010～1011cm-2之间,平带电压在2 V以下.

     

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