GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算

Calculation of Electron Surface Escape Probability of GaAs∶Cs-O NEA Photocathodes

  • 摘要: 介绍了计算CaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的方法,选用双偶极层表面模型,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响,提出了增大电子表面逸出几率的条件,并粗略推测了第一偶极层的厚度.

     

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