高级检索
ENGLISH

热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching

    摘要
  • 摘要: 对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在500～1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响,讨论了热处理及淬火影响EL2浓度的机理.

     

    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)

/

返回文章
返回