环孔p-n结理论分析

邢素霞, 蔡毅, 常本康

邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008
引用本文: 邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008
A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008
Citation: A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

环孔p-n结理论分析

详细信息
  • 中图分类号: TN213

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction

  • 摘要: 在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触,建立了环孔p-n结的电流模型.根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和R0A的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响.最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了R0A在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线.从曲线可以得出:当截止波长在中波波段3~5 μm时,77~150 K的温度范围都可以使用,但只有在130 K或更低的温度下才有较好的性能.目前在中波段的R0A值已经达到109Ωcm2,比理论值要低2~3个数量级;对于8~10.4 μm波段,120 K以下都有性能,而10~14 μm波段,要工作在100 K温度之下.
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