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Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠

吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
引用本文: 吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
shu
WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
Citation: WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
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Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

  • 云南大学材料科学与工程系,

  • 云南大学

详细信息

  • 中图分类号: O76

Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra

摘要

    摘要
  • 摘要: 研究了用磁控溅射方法制备的Gex／Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱，在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层结构假设的条件下，考虑了微晶表面效应的影响，用声子限域模型计算了Ce纳米晶粒的拉曼谱线，拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加。计算结果表明：在考虑了微晶的表面效应后，拟合结果与实验结果符合得很好。
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