Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠

吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
引用本文: 吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
Citation: WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005

Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

详细信息
  • 中图分类号: O76

Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra

  • 摘要: 研究了用磁控溅射方法制备的Gex/Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱,在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层结构假设的条件下,考虑了微晶表面效应的影响,用声子限域模型计算了Ce纳米晶粒的拉曼谱线,拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加。计算结果表明:在考虑了微晶的表面效应后,拟合结果与实验结果符合得很好。
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