摘要: 利用成熟的HgCdTe器件生产工艺制备了HgCdTe Hall器件,利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe Hall器件表面实现了ZnS介质薄膜的低温生长;用低温变磁场Hall测量技术对ZnS薄膜覆盖前后的Hall器件输运特性进行了研究,分析了ZnS薄膜的沉积生长对器件中HgCdTe晶体表面、体内载流子的分布、迁移率的影响.实验证明,利用文中的Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe器件表面进行ZnS介质膜生长不会引起器件HgCdTe晶格的损伤,且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷,不会降低n-HgCdTe光导型虹外探测器器件的最终性能指标.