自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

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自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

卜琼琼, 王茺, 靳映霞, 陆顺其, 杨宇

文章导航 > 红外技术 > 2012 > (10): 598-601

卜琼琼, 王茺, 靳映霞, 陆顺其, 杨宇. 自填隙原子对Si晶体性能影响的研究[J]. 红外技术, 2012, (10): 598-601. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.10.010

引用本文:

卜琼琼, 王茺, 靳映霞, 陆顺其, 杨宇. 自填隙原子对Si晶体性能影响的研究[J]. 红外技术, 2012, (10): 598-601. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.10.010

卜琼琼, 王茺, 靳映霞, 陆顺其, 杨宇. 自填隙原子对Si晶体性能影响的研究[J]. 红外技术, 2012, (10): 598-601. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.10.010

引用本文:

卜琼琼, 王茺, 靳映霞, 陆顺其, 杨宇. 自填隙原子对Si晶体性能影响的研究[J]. 红外技术, 2012, (10): 598-601. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.10.010

自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.10.010

云南大学光电信息材料研究所,云南昆明 650091
云南大学

中图分类号: O734
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出版历程

摘要: 运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响.理论计算表明,缺陷使体 Si 材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移.
- 第一性原理 /
- 缺陷 /
- 硅基 /
- 光学性质

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